@
dxgfalcongbit > 他脑子里想的是这玩意类似一个电磁铁吸钉子,断了电钉子掉一地
这是他在你的脑内小法庭里的供词陈述吗?
> 他为什么会得出锁电子不稳定这种结论?锁电子和 ssd 可靠性的逻辑关系是什么?
> 锁电子和是否稳定到底有毛线关系?
原本以为你是个脸比纸薄、嘴比铁硬的王者,妹想到是个无知无畏还懒得查阅学习的小瘪三,我还是大意了。
---
在控制极不加电压时,浮栅 MOSFET 中仍有电场存在,该电场是由浮栅中的电荷产生的,称为本征电场。在本征电场的作用下,随着时间流逝产生的电荷泄漏,会逐渐导致 NAND 闪存中的数据出错甚至无法读取,因此数据保持时间( Data Retention )是衡量 NAND 闪存可靠性的重要指标。为避免出现这种情况,主控会按照一定的算法对闪存进行扫描(称为 Read Scrub ,数据巡检 /扫描重写),当发现某个闪存页翻转比特数超过阈值时,对数据进行重写,从而减少 ECC 无法纠正的位错误。影响数据保持时间的因素有擦写次数、ECC 强度、温度和电磁辐射等。
由于陷阱辅助隧穿( Trap-assisted tunneling (TAT))效应,随着擦写次数(编程 /擦除周期数,Program/Erase Cycle (P/E Cycle))的增加,氧化物绝缘层逐渐磨损,NAND 闪存的可靠性会逐渐降低(数据保持时间缩短,出错概率增加)。
送你一份知识补充儿童套餐,望孺子细嚼慢咽、消化吸收,今后能谦虚好学,切莫愚昧无知、妄自尊大。如若不然,就当我喂了狗。